１．平成11年度末にクライストロン入力用マイクロ波増幅器を、位相安定性を考慮した半導体増幅器に更新した。又、加速管３本専用に冷却装置を設置し、0.01℃以内で温度制御できるようにした。その結果1.5ピコ秒の電子パルスを安定に発生でき、その電荷量の変動を2.7%に抑えることができた。
２．平成12年度は、共同利用研究に８件、施設内利用１件に供された。大きな故障は発生していないが、平成12年11月に寿命劣化と思われるサイラトロンの交換とサーキュレーター部の放電が発生し、共同利用(L-1)に迷惑を掛けた。
以下に平成１２年度の成果を示す。
1)サブピコ秒パルスラジオリシス実験において、電子ビームとレーザービームの同期精度が数分間で330fs(rms)、数時間で1.7ps(rms)であることを確認した。また、パルスラジオリシス時間分解能が12psであることを確認した。
2)18Lライナックに設置しているフォトカソードRFガンにおいて、１パルス当り７ナノクーロンの電荷量の発生に成功した。この値は、現時点で世界にある銅カソードRFガン装置において最高値である。
3)12TWレーザーを銅に照射して特性Ｘ線を発生し、それに同期したレーザー光をGaAs結晶に照射し、ポンプ＆プローブ法を用いて結晶格子の動きに起因するＸ線回折像が得られ、50ピコ秒毎の結晶格子の変化を示すＸ線回折像の取得に成功した。
4)12TWレーザーをヘリウムガスに照射させることにより、1MeV以上の電子発生を確認した。
5)12TWレーザーをパラボリックミラーにて、銅板上に集光させたところ、エネルギーが50〜220keV、12価から18価の銅イオン、105個/ショットの発生を確認した。また、その銅イオンを銅板に照射したところ、結晶格子に欠陥が生じていることが観測できた。
6)RF-GUNの高輝度化とビーム誘導系を改良するため、RF-GUNカソード面を大気にさらした。それが主原因か不明であるが、RF-GUNの電子発生量子効率が約10分の１に低下してしまった。現在、エージングを行い、量子効率の回復を計っている。